Top 16 Bjt 동작 원리 The 151 Top Answers

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B와E 전압이 순바이어스 상태, B와C 전압은 역바이어스 상태일 때 BJT는 활성 영역에 있고 전압제어 전류원으로 동작. → 역할 : 증폭기로 사용! 즉, V_CE가 증가함에 따라 컬렉터 전류가 일정하게 유지되기 전까지 증가하게 되는 영역.


14. BJT (Bipolar Junction Transistor) NPN / PNP Transistor 구조, Symbol, 동작원리 ** Semiconductor **
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BJT(Bipolar Junction Transistor)이란? : 네이버 블로그

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BJT 동작원리 : 네이버 블로그

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[트랜지스터] BJT의 원리와 역할

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Bipolar Junction Transistor (BJT, 바이폴라트랜지스터)의 동작모드

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Bipolar Junction Transistor (BJT, 바이폴라트랜지스터)의 동작모드
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BJT NPN, PNP 구조와 동작원리

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BJT NPN, PNP 구조와 동작원리
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전자 쟁이의 이런 저런 지식 세상 :: [전자] BJT 구조와 기본 동작

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전자 쟁이의 이런 저런 지식 세상 :: [전자] BJT 구조와 기본 동작
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BJT(Bipolar Junction Transistor)이란?

PN 접합 다이오드는 전류나 전압을 정류하는 기능을 가지거든? ㅋㅋ

근데, 입력 전류나 전압의 크기를 크게 하는 증폭 기능은 없어~

다이오드와 트랜지스터의 차이점은?

그래서 트랜지스터에 대해서 알아볼거야~

BJT와 FET에 대하여 알아볼건데 먼저 이 두개는 트랜지스터의 종류거든?

그럼 트랜지스터를 알아보자~!!

위의 사진들이 트랜지스터~!!

트랜지스터란?

전극에 가해진 전압이나 전류를 제어해서 신호를 증폭하거나 스위치 역할을 하는 반도체 소자!

BJT란?

(일반적으로 트랜지스터라고 부르는 것이 BJT) – 전류를 증폭시킨다. VS FET은 전압을 증폭시킨다.

BJT는 Bipolar Junction Transistor의 약자로서 반도체 3개를 합쳐놓은 전류증폭소자!

BJT(Bipolar Junction Transistor)에는 PNP형과 NPN형이 있으며, 베이스(B), 컬렉터(C), 에미터(E) 3개의 전극을 가지고 있어~!!

그리고 BJT와 MOSFET이 있는데, BJT의 전류는 전자와 정공(양공) 둘다 기여를 한다~ B(Bipolar)_양극성

근데 MOSFET은 전자나 정공 한 종류가 전류에 기여하기 때문에 BJT와 대조된다!!!

또한, BJT는 전류를 흘려 전류를 뽑아내는 Current driving!

하지만, FET는 게이트에 전압을 인가하여 전류를 뽑아내는 Voltage driving!!

그럼 당연히 BJT에서는 전류가 파라미터가 되겠지? ㅎㅎ

그럼 보자!!

BJT는 종류가 PNP와 NPN으로 나뉘어진다!!!

이 화살표가 의미하는 것은 스위치가 ON이 됬을 때, 전류의 방향!

– pnp형 BJT : Emitter, Collector는 p형 반도체 물질, Base는 n형 반도체 물질로 구성.

– npn형 BJT : Emitter, Collector는 n형 반도체 물질, Base는 p형 반도체 물질로 구성.

* 베이스(B), 컬렉터(C), 에미터(E)의 역할을 보자!

에미터는 ‘캐리어를 공급하는 역할’을 하는 부분

베이스는 잠깐 머무르는 곳

컬렉터는 공급된 ‘캐리어를 모으는 역할’을 하는 부분

* BJT의 동작원리는?(NPN으로 알아보자!)

* Base의 폭 : 10-6 m

베이스 영역의 폭을 좁게 할수록 이미터영역에서의 다수캐리어가 지나가는 시간은 단축이 될 것이다.

그 과정으로 베이스에서의 재 결합률은 당연히 작아진다!!

(재 결합률이 높다면 베이스에서 이미터 영역 기준으로 다수캐리어가 다 결합해버리는데.. 당연 전류가 흘러가지 않지…)

따라서 재 결합률이 높아지면 전류를 표현할 수 있는 다수캐리어가 감소한다는 말이므로 증폭률 또한 감소할 수 밖에 없어~ ㅎㅎ

* BJT는 왜 비대칭적 구조일까?

Emitter와 Collector 영역의 기하학적 구조가 일치하지 않고, 세 영역에서의 불순물 도핑 농도가 상당히 다르기 때문이다~ ㅎㅎ

* BJT의 동작모드

1) Cut-off 영역 ★

– 베이스에 걸린 전압(VBE)이 문턱전압(전위장벽 = 0.7) 보다 낮으면 전류가 0이 되어 차단모드가 됨.

→ 역할 : 스위치 OFF

2) 활성 영역(Active region) – B와E 전압이 순바이어스 상태, B와C 전압은 역바이어스 상태일 때 BJT는 활성 영역에 있고 전압제어 전류원으로 동작. → 역할 : 증폭기로 사용!

3) 포화 영역 (Saturation region) ★

– V_BE 순방향 전압 0.7 이상을 걸어주면 문턱전압 이 넘어 캐리어 움직이지만,

입력전압 V_BE를 점점 높여줘도 V_CE는 0.2V 정도로 항상 일정

즉, V_CE가 증가함에 따라 컬렉터 전류가 일정하게 유지되기 전까지 증가하게 되는 영역.

(0.7 < V_BE 이고 V_CE < V_BE) → 역할 : 스위치 ON ( 베이스 전류에 따라 콜렉터 전류가 비례적으로 증가 - 베이스전류 X 전류증폭비 = 컬렉터전류 ) ​ ​베이스전류가 증가하면 같이 컬렉터전류도 증가하므로 전류를 증폭시킬 수 있다. ​ Cut-off영역에서 빠른 속도로 활성영역을 지나쳐 포화 영역으로 넘어가면 스위치 ON으로 바꾸면 스위치 기능으로 사용 Cut-off영역에서 바이어스 라인을 제대로 잡아서 활성영역에서 계속 있으면 전류가 증폭되서 전류 증폭기로 사용. 바이어스 라인을 잘못 잡으면 세츄레이션 영역으로 가거나 Cut-off 영역으로 다시 가면 증폭기로 사용하지 못한다. 4) 역활성 영역(breakdown region) - 활성 영역을 180도 뒤집어서 만든 것을 역활성 영역이라고 합니다. ​따라서 활성 영역은 컬렉터에 비해 하이도핑된 에미터가 캐리어의 공급원으로 쓰이는데 비하여 180도 바뀌면 컬렉터 영역이 캐리어의 공급원으로 사용됩니다. 하지만, 컬렉터는 에미터에 비해 캐리어의 수가 적으므로 성능이 떨어지는 것으로 알고있습니다. *문턱전압(전위장벽) - bjt가 동작하기 시작하는 전압을 말합니다. 약 0.7V *애벌랜치 항복 - 눈사태처럼 전자가 기하급수적으로 불어나는 현상 제너다이오드에 역바이어스를 인가해주면 다이오드 내부의 캐리어인 전자가 pn반도체 내부의 이온들과 충돌을 일으켜 새로운 전자와 정공들을 생성해내고 이 전자와 정공들이 또 다른 이온들과의 충돌을 일으켜 캐리어들이 기하급수적으로 늘어나 결국엔 전류가 급격히 증가하는 결과를 초래하는 것. * BJT & MOSFET 전류원 : 전압에 관계없이 항상 일정한 전류를 공급하는 것. ex) 충전기. 전압원 : 전압에 관계없이 항상 일정한 전압을 공급하는 것. ex) 건전지. BJT 장점 1. BJT 단점 1.

BJT 동작원리

BJT 에 대해서 소개해볼까 합니다.

위 그림은 BJT의 모습이며 Bipolar Junction Transistor 으로 쌍극인 (+), (-) 전하를 모두 이

용하는 반도체 소자입니다. BJT는 반도체 3개를 붙여서

만든 ‘ 전류증폭소자 ’ 입니다 . 일반적으로 트랜지스터는 BJT 를 가리킵니다 .

BJT 는 PNP 형과 NPN 형으로 나뉩니다 . ( 둘의 작동 원리는 방향만 거꾸로 해주면 되므로

N PN 형으로 설명해보겠습니다 .) NPN 형 BJT 는 아주 좁은 P 형 반도체의 양쪽에 N 형 반도체

두 개를 붙여서 만듭니다 . P 형 반도체의 다리를 베이스 B 라고 하겠습니다 . N 형 반도체 다리

중에서 전류를 끌어오는 쪽을 콜렉터 C 그리고 뱉어내는 쪽을 이미터 E 입니다 .

위의 그림은 NPN형 BJT입니다. NPN BJT를 올바르게 동작시키기 위해서는 BE에 순방향 바

이어스 전압을 그리고 BC에 역방향 바이어스 전압을 걸어주는 것입니다. 먼저 BE에 순방향

전압을 걸어주면 PN 접합이 순방향으로 바이어스 된 것 과 같습니다. 다이오드와 비슷하게

작동합니다. 그러므로 E에서 B로 전자가 이동하게 되고 정공은 B에서 E로 이동하게 됩니다.

여기서 부터중요합니다. E에서 B로 넘어온 전자는 B와 C 접합면에 도달하고 B와 C는 역방

향바이어스가 되어 있으므로 전류가 흐르지 않아 BC사이에는 공핍층이 형성됩니다.

이때 C쪽에는 (+)전압과 B에는 (-)의 전압이 걸려있으므로 이들 사이에 전기장이 형성됩니

다. 이 전기장의 형성으로 전자들은 이 전기장에 의해 콜렉터로 끌려가게 됩니다.

 (전자는 -전하를 띄고 있으므로 강한 +전압에 의한 전기장에 이끌려 휘리릭~하고 컬렉터 쪽으로 끌려들어간다 이겁니다.)

결국 이 전자들은 B에서 C로 두꺼운 공핍층을 급속도로 넘어가면서 증폭이 되는 것입니다.결국 베이스에 전압을 걸어서 전류를 흘려줘야 컬렉터로 전류가 흐르게 되고 증폭을 하게 되는 것입니다.

위의 그림은 회로에서 BJT의 기호입니다. 헷갈리므로 잘 기억하시기 바랍니다.

[트랜지스터] BJT의 원리와 역할

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안녕하세요. 취업한 공대누나입니다.

오늘은 트랜지스터, 특히 BJT에 대해 공부하고 넘어가보도록 하겠습니다.

학부 때는 깊고 자세히 배웠는데

실무에서는 정말 단순하게만 사용하고 있어서 허무했던 소자 중 하나입니다.

그럼 시작해볼까요?

1. 트랜지스터란? 트랜지스터의 역할

트랜지스터 트랜지스터

이미지 출처 : 내 보드, 디바이스마트

우선 Transistor란 Transfer + Resistor의 합성어로 저항을 변화시킨다라는 뜻을 갖고 있습니다.

저항의 변화는 전류의 변화를 가져오게 되는데

이 의미를 더 기억하는게 좋을 듯 합니다.

우선 크게는 BJT와 FET로 구분됩니다.

BJT는 Bipolar Junction Transistor로 접합형 트랜지스터이고

FET는 Field Effect Transistor로 전계 효과 트랜지스터입니다.

둘의 차이점을 간단하게 말씀드리면

BJT는 전류로 전류를 제어하고, FET는 전압으로 전류를 제어한다는 것입니다.

이것에 대한 자세한 의미는 공부를 하며 보도록하고 지금은 기억만 해두셔도 좋습니다.

트랜지스터의 중요한 역할에는 두 가지가 있습니다.

1. 스위치

2. 증폭

학부 때는 증폭 관련해서 어렵게 자세히 배웠는데 실제 실무에서는

아주 쉬운 스위치 회로로만 사용해봤네요 ㅎㅎ

아래에서는 우선 BJT에 대한 내용을 다루고 다음 포스팅에서 FET에 대한 내용을 다룰 것입니다.

2. 트랜지스터의 종류

BJT는 NPN형과 PNP형으로 구분됩니다.

NPN형은 N형 반도체 사이에 P형 반도체가 있는 것이고

PNP형은 P형 반도체 사이에 N형 반도체가 있는 것입니다.

사이에 있는 반도체는 양쪽에 비해 매우 얇습니다.

따라서 총 3개의 단자가 있습니다.

전자를 모으는 역할을 하는 컬렉터(Collector)

전자를 방출하는 역할을 하는 이미터(Emitter)

그리고 전류의 흐름을 제어하는 베이스(Base)입니다.

그렇다면 이러한 트랜지스터는 어떻게 동작하게 되는지 알아보겠습니다.

3. 트랜지스터의 원리

저는 세 가지 단계로 간단하게 이해했습니다.

1. V1에 순방향 전압을 걸어주면 양공과 전자가 결합을 하며 전류가 흐르게 됩니다.

2. 이 때 가운데에 있는 N형 반도체가 매우 얇기 때문에 정공에 비해 전자가 많이 부족하게 됩니다.

3. 이때 V2에 역방향 전압을 걸어주면 남아도는 양공이 -단자에서 공급되는

전자와 결합하여 더 큰 전류가 흐르게 됩니다.

NPN형도 PNP와 마찬가지로 생각해보시면 공부하는 데에 큰 도움이 될 것 같습니다.^^

4. 스위치 회로

간단하게 제가 사용하는 스위치 회로에 대해 보여드리겠습니다.

정확한 사양은 데이터 시트를 보시고 설계를 해야 합니다.

정말 간단하게

Base에 일정 전류를 흘려주면 TR은 ON이 되고

그렇지 읺으면 OFF가 되는 스위치 회로입니다.

베이스와 인풋쪽의 저항은 전류를 제어하는 용도로

베이스와 그라운드 사이에는 튀는 전압을 잡아주는 용도로 사용합니다.

오늘은 간단하지만 정말 많이 사용하는 BJT에 대해 알아보았는데요.

학교에서는 왜 그렇게 어렵게 배웠던걸까요…

아니면 그 당시 제 머리가 바보였던걸까요…

지금은 쉽게 정리가 되는데 말입니다..ㅎㅎ

다음 시간에는 FET에 대해 알아보겠습니다.

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